在半導(dǎo)體行業(yè)，確保產(chǎn)品在復(fù)雜環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。大型冷熱溫控試驗(yàn)箱憑借精準(zhǔn)的環(huán)境模擬能力，成為半導(dǎo)體測試的關(guān)鍵設(shè)備，助力企業(yè)優(yōu)化產(chǎn)品性能，提升可靠性。
大型冷熱溫控試驗(yàn)箱工作機(jī)制
大型冷熱溫控試驗(yàn)箱通過制冷、加熱和濕度調(diào)節(jié)系統(tǒng)協(xié)同運(yùn)作，模擬多樣環(huán)境。制冷系統(tǒng)基于逆卡諾循環(huán)，壓縮機(jī)將低溫低壓制冷劑氣體壓縮為高溫高壓狀態(tài)，經(jīng)冷凝器散熱轉(zhuǎn)化為高壓液體，再由節(jié)流裝置降壓，在蒸發(fā)器中吸收箱內(nèi)熱量，實(shí)現(xiàn)制冷。加熱系統(tǒng)則利用高效電加熱絲，通電后產(chǎn)生熱量，借助風(fēng)道設(shè)計(jì)均勻散布于箱內(nèi)，實(shí)現(xiàn)快速升溫。
濕度調(diào)節(jié)方面，加濕常采用蒸汽加濕，將水加熱成蒸汽注入箱內(nèi)；除濕通過冷凝除濕或分子篩吸附實(shí)現(xiàn)。箱內(nèi)密布高精度溫濕度傳感器，實(shí)時(shí)監(jiān)測環(huán)境數(shù)據(jù)，并反饋至先進(jìn)的控制系統(tǒng)。控制系統(tǒng)運(yùn)用 PID 控制算法，依據(jù)預(yù)設(shè)值與實(shí)際值的偏差，精準(zhǔn)調(diào)控各系統(tǒng)工作，確保溫度控制精度達(dá) ±0.5°C，濕度控制精度在 ±2% RH，為半導(dǎo)體測試提供穩(wěn)定且精準(zhǔn)的環(huán)境。
半導(dǎo)體測試流程
前期準(zhǔn)備
精心挑選具有代表性的半導(dǎo)體樣品，涵蓋不同型號(hào)、規(guī)格的芯片、晶圓及封裝器件等。運(yùn)用高精度測量儀器，如數(shù)字萬用表、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀等，精準(zhǔn)測定樣品的初始電氣參數(shù)，如電阻、電容、漏電流等，并詳細(xì)記錄。將樣品穩(wěn)固安裝在試驗(yàn)箱內(nèi)定制的樣品架上，確保安裝牢固且不阻礙箱內(nèi)空氣正常流通，同時(shí)保證樣品的敏感部位能充分暴露于模擬環(huán)境中。
溫度循環(huán)測試
參照半導(dǎo)體實(shí)際應(yīng)用場景，制定科學(xué)的溫度循環(huán)程序。模擬高溫環(huán)境時(shí)，可將溫度設(shè)定在 125°C - 150°C，模擬芯片在高負(fù)荷運(yùn)行時(shí)的發(fā)熱狀態(tài)；模擬低溫環(huán)境時(shí)，溫度降至 - 55°C - -40°C，對(duì)應(yīng)苛刻寒冷的使用場景。在每個(gè)溫度設(shè)定點(diǎn)穩(wěn)定后，利用數(shù)據(jù)采集設(shè)備高頻次測量半導(dǎo)體的輸出信號(hào)，密切觀察其性能變化。高溫下，半導(dǎo)體可能出現(xiàn)電子遷移加劇、閾值電壓漂移等問題；低溫環(huán)境則可能導(dǎo)致載流子遷移率降低，影響器件性能。
濕熱循環(huán)測試
為評(píng)估半導(dǎo)體在潮濕環(huán)境下的可靠性，開展?jié)駸嵫h(huán)測試。設(shè)定溫度為 85°C，相對(duì)濕度提升至 85% RH，模擬高溫高濕的惡劣環(huán)境。在該環(huán)境下維持?jǐn)?shù)小時(shí)，加速濕氣對(duì)半導(dǎo)體封裝及內(nèi)部結(jié)構(gòu)的侵蝕。隨后，快速將溫濕度降至 - 40°C、30% RH，模擬干燥寒冷環(huán)境，促使水分凝結(jié)與蒸發(fā)循環(huán)。多次循環(huán)后，對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行電氣性能測試及無損檢測，查看是否出現(xiàn)封裝開裂、金屬引腳腐蝕、內(nèi)部短路等問題。
極限環(huán)境測試
逐步提升或降低試驗(yàn)箱的溫度與濕度，直至半導(dǎo)體出現(xiàn)性能異常，如輸出信號(hào)失真、功能失效等。記錄此時(shí)的環(huán)境參數(shù)，即半導(dǎo)體的耐受極限。此測試對(duì)評(píng)估半導(dǎo)體在苛刻工況下的可靠性意義重大，為高可靠性應(yīng)用場景（如航空航天、汽車電子）的產(chǎn)品設(shè)計(jì)提供關(guān)鍵參考。
測試數(shù)據(jù)處理與分析
對(duì)測試過程中采集的海量數(shù)據(jù)進(jìn)行深度剖析。繪制半導(dǎo)體性能參數(shù)隨溫濕度變化的曲線，運(yùn)用曲線擬合等數(shù)學(xué)方法，明確參數(shù)與環(huán)境因素的函數(shù)關(guān)系，計(jì)算溫度系數(shù)、濕度敏感因子等關(guān)鍵指標(biāo)。對(duì)比不同批次、不同廠家半導(dǎo)體的測試結(jié)果，分析性能差異，為半導(dǎo)體選型提供有力依據(jù)。
若測試中半導(dǎo)體出現(xiàn)性能問題，借助失效分析手段，如 X 射線檢測、掃描電鏡觀察、能譜分析等，深入排查根源。可能涉及材料質(zhì)量欠佳、封裝工藝缺陷、設(shè)計(jì)不合理等。通過精準(zhǔn)定位問題，為半導(dǎo)體制造工藝改進(jìn)與產(chǎn)品優(yōu)化提供方向，從而提升半導(dǎo)體在復(fù)雜環(huán)境中的性能與可靠性，推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步 。
您的位置：
更新時(shí)間：2025-08-18 
瀏覽次數(shù)：114
